科目区分 | 基盤科目 | 教職科目 | 理科 |
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単位数 | 1 | 選択・必修・自由 | 選択 |
授業形態 | 講義 | 主な使用言語 | 英語 |
開講時期 | Ⅲ | 履修登録システム | 使用する |
履修登録期間 | 2020/10/14~2020/11/04 | 履修取消期限 | 2020/12/04 |
プログラム名 | IS | CB | BS | BN | MS | CP | DS |
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履修区分 | △ | △ | △ | ○ | □ | □ | ○ |
コア科目 | - | - | - | - | C | C | - |
履修方法 | ・修士論文研究又は特別課題研究を履修する場合は、基盤科目及び専門科目から12単位以上履修すること。 ・課題研究を履修する場合は、基盤科目及び専門科目から14単位以上履修すること。 ・コア科目の履修方法については、入学年次の教育課程表の(2)履修方法を参照すること。 |
担当責任教員 | 浦岡 行治 |
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担当教員 | 浦岡行治、石河泰明、三宅雅人、辨天宏明 |
教育目的/授業目標 | 半導体材料の基礎的な性質(化学的な性質、電気的な性質、光学的な性質など)、その形成方法(合成方法、堆積方法など)、応用事例(電子デバイスなど)などについて理解を深め、俯瞰できたり、議論ができるようにする。また、バンド図を使って、基礎的な知識を表現できることを目標とする。 |
授業概要/指導方針 | 本授業では、様々な方面で使用されている半導体材料について、基礎的性質から応用範囲まで、広く学ぶ。特に、材料の評価手法、形成手法、電子デバイスの動作原理まで、できるだけ実例を挙げて詳しく学ぶ。 原則は座学であるが、時には、グループ学習も実施する。 |
回数 | 日付 [時間] | 担当教員 | テーマ | 内容 |
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1 | 12/1 [2] | 辨天 宏明 | 有機半導体の特徴 | 有機半導体の特徴を種々の角度から解説する。 |
2 | 12/4 [2] | 辨天 宏明 | 半導体材料の電気伝導 | 半導体材料の電気伝導を決定する要因について解説する。 |
3 | 12/9 [2] | 浦岡 行治 | P/N接合理論 | P/N接合におけるキャリアの振る舞い、ポテンシャル分布について解説する。 |
4 | 12/14 [2] | 三宅 雅人 | LED(発光ダイオード)の原理から量産化への課題と最先端の装置開発動向 | LEDの原理を説明すると共に、LED量産装置開発現場で抱える問題について、世界規模で行われている最先端のLED製造装置開発の課題と現状について解説する。 |
5 | 12/17 [2] | 浦岡行治 | MOS(金属/絶縁膜/半導体)接合理論 金属/絶縁膜/半導体( | MOS接合における蓄積、空乏、反転現象について解説する。 |
6 | 12/22 [2] | 浦岡行治 | MOS電界効果トランジスタの動作原理 | MOS接合を利用したトランジスタにおける動作原理(入力特性、出力特性)について解説する。 |
7 | 12/25 [2] | 石河泰明 | 金属/絶縁膜/半導体(MOS)接合界面を使ったMOSトランジスタの原理 | LSI(半導体集積回路)やTFT(薄膜トランジスタ)に使われているMOSトランジスタの動作原理について詳しく説明する。 |
8 | 1/6 [2] | 石河泰明 | MOSトランジスタの信頼性劣化現象 | LSI(半導体集積回路)やTFT(薄膜トランジスタ)に使われているMOSトランジスタの劣化現象やその対策について詳しく説明する。 |
回数 | 日付 | 時間 | 講義室 | 備考 |
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1 | 12/1 | 2 | E318(MS) | |
2 | 12/4 | 2 | E318(MS) | |
3 | 12/9 | 2 | E318(MS) | |
4 | 12/14 | 2 | E318(MS) | |
5 | 12/17 | 2 | E318(MS) | |
6 | 12/22 | 2 | E318(MS) | |
7 | 12/25 | 2 | E318(MS) | |
8 | 1/6 | 2 | E318(MS) |
テキスト | ・半導体工学 松波弘之 昭晃堂出版 ・有機半導体の基盤と原理 谷忠昭 丸善出版 ・電気電子材料 塩嵜忠 共立出版 |
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参考書 | ・薄膜トランジスタ 薄膜材料デバイス研究会 コロナ社 |
履修条件 | 学部程度の物理的な知識を有すること。 |
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オフィスアワー | オフィスアワーは設けない。F510教授室、内線6060、uraoka@ms.naist.jp |
成績評価の方法と基準 | ・5段階(秀・優・良・可・不可)で評価する。 ・レポート(授業時間内)30%、授業への参加度20%、最終レポート50%から総合的に評価する。 |
関連科目 | 特になし |
関連学位 | Science、Engineering、Biological Science |
注意事項 | None |
表示可能なデータがありません。 |
資料名 | 備考 | 公開期限 | ||
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講義資料(浦岡) | 2021/03/09 | 学内専用 | |
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Semi.Mater.B(7)_Ishikawa | 2021/01/29 | 学内専用 | |
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Semi.Mater.B(8)_Ishikawa | 2021/01/29 | 学内専用 | |
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MOSFETの基礎2 浦岡 | 2021/03/22 | 学内専用 | |
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MOS FET(English) | 2021/03/22 | 学内専用 |